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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Comparar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.9
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
8500
Por volta de 2.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
12.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
21300
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1425
3273
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparações de RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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