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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.6
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
29
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
9.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1425
2419
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparações de RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Comparações de RAM
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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