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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
43
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.3
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
29
Velocidade de leitura, GB/s
14.4
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
13.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2422
2832
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Comparações de RAM
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB Comparações de RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
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