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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
40
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.8
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
37
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3075
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Comparações de RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
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G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
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