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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Confronto
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Motivi da considerare
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
40
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
13.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
37
Velocità di lettura, GB/s
13.6
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2035
3075
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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