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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
40
Por volta de -74% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.7
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
23
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
11.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3147
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
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