RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
58
Por volta de -107% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
1,950.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
6400
Por volta de 3.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,241.0
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,950.7
16.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
23400
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
651
3758
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link