RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
62
Por volta de 35% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
6.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.1
13.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
62
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
6.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
1586
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link