RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
30
Por volta de -58% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.5
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.9
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
8500
Por volta de 2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
19
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
19.5
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
14.9
Largura de banda de memória, mbps
8500
17000
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
3355
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link