RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
30
Autour de -58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
19
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3355
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link