RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
36
Por volta de 22% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.9
12.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
36
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2281
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link