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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razões a considerar
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
28
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.5
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2930
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
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