RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
40
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3292
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link