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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
56
Por volta de -51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.5
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,813.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
37
Velocidade de leitura, GB/s
4,387.7
9.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,813.5
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
693
1949
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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