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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
56
En -51% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.5
4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
1,813.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
37
Velocidad de lectura, GB/s
4,387.7
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,813.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
693
1949
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
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