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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Comparez
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Note globale
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
56
Autour de -51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.5
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
1,813.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
37
Vitesse de lecture, GB/s
4,387.7
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,813.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
693
1949
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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