RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
65
Por volta de -124% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
29
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
15.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3676
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link