RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
65
Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3676
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link