RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
28
Por volta de -27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.2
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.6
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
22
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
18.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3083
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link