RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Comparar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,256.8
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
64
Por volta de -129% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
64
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,651.3
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,256.8
16.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
837
3835
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparações de RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link