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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
64
左右 -129% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
28
读取速度,GB/s
4,651.3
18.9
写入速度,GB/s
2,256.8
16.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3835
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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