RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
64
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
3835
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link