RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
28
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
20.0
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
21
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
20.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
4170
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link