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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
28
左右 -33% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.6
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
20.0
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
21
读取速度,GB/s
12.9
20.6
写入速度,GB/s
9.0
20.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
4170
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
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A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
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