RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
31
Por volta de 10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
8.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
11.0
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
8.4
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2271
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link