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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.9
7.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
7.7
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
6.8
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
1768
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
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