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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.1
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
17.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
3757
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
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