RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3757
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link