RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Comparar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
32
Por volta de 13% menor latência
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
12.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
28
32
Velocidade de leitura, GB/s
12.9
15.6
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2112
2791
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link