Comparação RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

27 38

Por volta de 29% menor latência

Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.5 14.8

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.0 10.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 19200

Por volta de 1.33 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2173 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns