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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Pontuação geral
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
38
Por volta de 29% menor latência
Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
38
Velocidade de leitura, GB/s
14.8
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.2
12.0
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2173
2283
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
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