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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-028.A00LF 4GB
Comparar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston 9905403-028.A00LF 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Kingston 9905403-028.A00LF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
10.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
10600
8500
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Kingston 9905403-028.A00LF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
37
Por volta de -37% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905403-028.A00LF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
37
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.2
10.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
8500
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
1871
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Kingston 9905403-028.A00LF 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
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