Comparaison de la RAM Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Note globale

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 38

Autour de 29% latence réduite

Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.5 14.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.0 10.2

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 19200

Autour de 1.33 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2173 2283

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns