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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
29
Por volta de 14% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.4
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
11.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
14900
Por volta de 1.14 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
11.2
Largura de banda de memória, mbps
14900
17000
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2696
2810
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparações de RAM
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
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