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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB vs Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
30
Por volta de 17% menor latência
Razões a considerar
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.5
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.3
11.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14900
Por volta de 1.43 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.4
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
12.3
Largura de banda de memória, mbps
14900
21300
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2696
2976
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB Comparações de RAM
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
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