RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
19.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
58
Por volta de -190% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
20
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
19.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
3506
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link