RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
58
Por volta de -71% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
34
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
2763
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparações de RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link