RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
58
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,025.3
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,107.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
670
2763
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link