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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Comparar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
17.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,107.0
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
58
Por volta de -53% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
58
38
Velocidade de leitura, GB/s
4,025.3
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,107.0
10.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
670
3030
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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