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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Pontuação geral
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
78
Por volta de 33% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
6.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17500
17000
Por volta de 1.03% maior largura de banda
Razões a considerar
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
10.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
52
78
Velocidade de leitura, GB/s
10.2
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.2
6.4
Largura de banda de memória, mbps
17500
17000
Other
Descrição
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2319
1584
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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