RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
78
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
6.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17500
17000
Wokół strony 1.03% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
10.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
78
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
17500
17000
Other
Opis
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2319
1584
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link