RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
65
Wokół strony -195% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3188
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Lenovo 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link