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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Comparar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
42
Por volta de 10% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.7
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
42
Velocidade de leitura, GB/s
14.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
12.4
Largura de banda de memória, mbps
21300
25600
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2148
2352
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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