RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сравнить
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
42
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
42
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
15.7
Скорость записи, Гб/сек
10.3
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2148
2352
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link