RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB против Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
6.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.2
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1411
2865
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Сравнения RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link