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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
51
139
Por volta de 63% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
6.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
139
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
14.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
6.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
1152
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
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