RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
10.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
8.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
48
51
Por volta de -6% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
48
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
1858
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link