RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
51
Por volta de -183% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.1
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
18
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
21.1
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
16.7
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3286
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link