RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
51
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.1
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
21.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3286
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link