RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
51
Por volta de -76% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.4
15.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.1
11.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
29
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
3096
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link