RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Comparar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.6
14
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
51
Por volta de -42% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
51
36
Velocidade de leitura, GB/s
15.6
14.0
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
10.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2687
2416
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link